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SI7540DP-T1-GE3中文资料

SI7540DP-T1-GE3图片

SI7540DP-T1-GE3外观图

  • 大小:364KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.6A,5.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:17 毫欧 @ 11.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI7540DP-T1-GE3TR

SI7540DP-T1-GE3供应商

更新时间:2023-02-07 22:48:12
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